Imec представил технологию, которая вдвое увеличит плотность размещения транзисторов

Imec продолжает радовать разработками, открывающими путь к производству полупроводников с нормами менее 5–3 нм. Среди прочих докладов на симпозиуме VLSI Technology 2018 разработчики центра рассказали о найденной серии технологических цепочек, которая позволит выпускать комплиментарные пары полевых транзисторов с использованием технологических норм менее 3 нм (complementary FET, CFET).

Процесс производства CFET по энергоэффективности и производительности транзисторов может в итоге превзойти техпроцесс FinFET применительно к технологическим нормам 3 нм. Более того, техпроцесс CFET открывает возможность уменьшить на 50% размеры как стандартных (цифровых) ячеек, так и ячеек памяти SRAM.

Напомним, что на использовании комплиментарных пар транзисторов базируются классические КМОП (CMOS) техпроцессы производства микросхем.

Это транзисторы с разным типом проводимости (n и p), но идентичные или почти идентичные по параметрам.

Разработчики Imec внесли смелое предложение создавать на кристалле комплиментарные транзисторы не рядом, а друг над другом.

В предложенной Imec цепочке операций по обработке кремниевой пластины полевой транзистор n-типа (nFET) располагается над полевым транзистором p-типа (pFET).