Новая разработка с магнитным полем поможет увеличить память устройств

Ученые из Американского института физики представили альтернативный подход к хранению информации. В журнале Applied Physics Letters представлены сразу несколько возможных вариантов его реализации — они основаны на магнитно-электрическом эффекте, который позволяет электрическому полю переключать магнитные свойства устройств

Одним из возможных решений является новый коммутационный элемент из хромия, который сможет использоваться в памяти компьютера и флэш-накопителях. «У устройства есть хороший потенциал для масштабирования: его можно уменьшить, и он будет потреблять меньше энергии, как только мы его усовершенствуем», — отметила Рэндэлл Витора, исследователь из Университета Миннесоты и автор статьи.

Она отметила, что недостаток памяти компьютера, состоящего из переключающих элементов, которые хранят биты информации как единицы и нули, в том, что он может «переключаться» для записи данных только с помощью электрического поля, но для переключения требуется наличие статического магнитного поля. Основываясь на этой информации, ученые создали дизайн для устройства с сердечником, которое не требует использования внешнего магнитного поля.

По задумке, конструкция будет окружена магнитным материалом. Это обеспечит эффективное и постоянное магнитное поле, позволяя размещать содержание устройства таким образом, чтобы блокировать рассеянные магнитные поля от воздействия на соседние устройства. К тому же, память можно сделать более миниатюрной.

Разработчики отмечают, что, несмотря на то, что они уверены в потенциальной эффективности своей разработки, ее совершенствование займет годы. Одна из проблем, которую предстоит преодолеть — теплостойкость устройства, которое перестает функционировать при 30 градусах по Цельсию. Ученые планируют оптимизировать материал, из которого состоит девайс, чтобы улучшить его функционал.