Смартфоны станут быстрее: принят стандарт памяти UFS 3.0

Ответственный за принятие стандартов связанных с работой всех видов памяти комитет JEDEC Solid State Technology Association опубликовал спецификации интерфейса Universal Flash Storage (UFS) в новой третьей версии стандарта. Главным нововведением стало повышение скорости обмена по шине UFS в два раза по отношению к версиям 2.0 и 2.1. Предыдущее увеличение скорости обмена было заложено в версии 2.0 в сентябре 2013 года.

Тогда скорость обмена была увеличена с 300 Мбайт/с до 600 Мбайт/с по одной линии. Также в интерфейс была добавлена вторая линия, которая может использоваться или нет в зависимости от задач. В целом UFS 2.0 и 2.1 позволяли поднять обмен по шине UFS до 1,2 Гбайт/с.

Спецификации UFS 3.0 предписывают увеличить скорость обмена по одной линии до 11,6 Гбит/с, что в случае использования двух линий обещает обмен с данными на уровне 2,4 Гбайт/с. Это уже скорость не самого медленного SSD. Собственно, интерфейс UFS задумывался как промежуточное решение между памятью eMMC и памятью в виде SSD. В своей третьей версии стандарт Universal Flash Storage хорошо так вторгается в нишу SSD. В смартфонах, правда, шина UFS всё ещё мало распространена и то в основном в флагманских моделях. Компания Micron вообще считает стандарт UFS ненужным.

Правда, с недавних пор шина UFS продвигается в автомобильную электронику.

Она энергоэффективная и быстрая и в совокупности этих свойств может оказаться кстати в автомобилях. В версии 3.0 в стандарт добавлены две характеристики, сделанные в угоду автомобилям. Это расширенный диапазон рабочих температур (от -40 градусов по Цельсию до 105 градусов) и регенерация команд. Компании Samsung и Toshiba уже выпускают однокорпусные флэш-накопители с интерфейсом UFS для автомобильной электроники.